Stage - Vers des composants de puissance de prochaine génération en AlN H/F

Descripción del puesto:

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Vers des composants de puissance de prochaine génération en AlN H/F

Sujet de stage

Ce sujet concerne les développement de composants de puissance à base d'AlN. Il portera sur de la caractérisation électriques, de la modélisation et des simulations TCAD et pourra constituer le travail préparatoire de la thèse qui est proposée sur la même thématique.

Durée du contrat (en mois)

4 à 6 mois

Description de l'offre

Contexte

L'AlN est un semiconducteur UWBG (ultra wide bandgap) permettant de réaliser potentiellement des composants de puissance avec une très forte tenue en tension (au-delà de plusieurs kV) avec une très faible résistance à l'état passant qui pourrait induire une très forte réduction de l'échauffement et donc de la taille du convertisseur (économie d'énergie et de matière).
Une première brique importante à maîtriser concerne le développement de contacts ohmiques sur des zones de type n et p qui peuvent être obtenues par dopage électrostatique développé avec nos partenaires l'Univ. de Stanford et le CNRS-LTM.
Objectifs du stage

L'objectif du stage sera :
- D'étudier les propriétés électriques de contacts ohmiques développés avec cette technologie ;

- De réfléchir à la conception de transistors et diodes de puissance qui pourront les employer.

Recherche bibliographique et impact environnemental

Un volet concernera également une recherche bibliographique sur les différentes techniques utilisées pour réaliser les couches d'épitaxie envisagées à base d'AlN, en vue d'une analyse de leur criticité matériau par rapport à d'autres semiconducteurs UWBG ou WBG, ainsi que l'énergie nécessaire pour la fabrication des couches.
L'impact écologique de la réalisation de l'épitaxie pourra être également étudié (on pourra échanger avec Stanford sur ce sujet).

Profil du candidat

Nous recherchons un.e candidat.e suivant une formation en génie électrique et microélectronique intéressé.e par un travail portant sur le fonctionnement des dispositifs semiconducteurs pour l'électronique de puissance et étant attiré.e par la recherche appliquée.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes

Ville

Grenoble

Critères candidat

Formation recommandée

En dernière année d'école d'ingénieur ou master 2 - génie électrique et microélectronique

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

15/02/2027