Etude du dépôt sélectif de SiO2 par PEALD H/F

Description du poste:

Description du poste

Domaine

Sciences pour l'ingénieur

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Etude du dépôt sélectif de SiO2 par PEALD H/F

Sujet de stage

La fabrication des dispositifs nanoélectroniques des nœuds technologiques les plus avancés nécessite des techniques de patterning innovantes . En parallèle de l'approche conventionnelle de lithographie/gravure, le dépôt sélectif localisé ou Area Selective Deposition (ASD) par dépôt de couches atomiques (ALD) pourrait permettre de simplifier leurs intégrations, comme par ex. dans le cas de transistors FDSOI avancés.

Durée du contrat (en mois)

6 mois

Description de l'offre

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En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Description du poste :

Pour la microélectronique du futur, le dépôt sélectif localisé ou Area Selective Deposition = ASD [1] constitue une approche prometteuse pour simplifier les schémas d'intégration des nœuds technologiques les plus avancés. Ces approches d'ASD nécessitent d'être adaptées en fonction d'un trinôme comprenant le matériau à déposer, la surface de croissance et la surface inhibée. On se propose ici d'étudier le dépôt d'oxyde de silicium (SiO2) sur Si ou SiO2 vs le nitrure de silicium (SiN) [2] qui est l'un des sujets les plus complexe en ASD et d'évaluer l'intérêt de ce type de procédé pour la réalisation de transistors FDSOI avancés [3].

Pour développer ce procédé de dépôt sélectif de SiO2, différentes approches permettant de rendre le SiN inhibiteur à la croissance du SiO2 seront étudiées (traitements plasma, Small Molecular Inhibitor, combinaison des deux, …). Le dépôt sélectif de SiO2 sera réalisé par Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD).

Ce stage de 6 mois se déroulera au CEA-LETI, dans le service de dépôt de matériaux avancés. L'étudiant aura accès aux plateformes de réalisation en salle blanche pour les dépôts de couches minces par PEALD et à la plateforme de nanocaractérisation. Des analyses de surface et caractérisations des couches minces (ellipsométrie, XRR, AFM, FTIR, angle de goutte, SEM, XPS, Tof-SIMS) permettront d'identifier la meilleure sélectivité.

Le début du stage est prévu vers Fév. 2026 avec une possibilité de continuité en thèse.

Pour aller plus loin:

[1] https://doi.org/10.1021/acs.chemmater.0c00722
[2] https://doi.org/10.1021/acsnano.7b04701
[3] https://www.youtube.com/watch?v=jDhLOqoIgAk

Mots clés :

Stage M2 6 mois ; Microélectronique ; Matériau couche mince ; ALD ; Sélectivité, ASD ; Nanocaractérisation

Moyens / Méthodes / Logiciels

Plateformes technologiques de réalisation et de nanocaractérisation

Profil du candidat

Qu'attendons-nous de vous ?

Vous préparez un diplôme de niveau Master2 ou école d'ingénieur en Matériaux / Microélectronique / Physique - Chimie

Vous êtes force de proposition et faites preuve d'esprit de synthèse, d'autonomie, de rigueur ainsi que d'esprit d'équipe.

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

Anglais (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Master 2

Formation recommandée

Ecole d'ingénieur ou Master 2

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

02/02/2026