| 104 Besuche |
0 Bewerbungen |
Beschreibung:
Chez STMicroelectronics, nous sommes convaincus que la technologie est un moteur d'innovation et a un impact positif pour les entreprises, les personnes et la société.
En tant qu'acteur mondial des semiconducteurs, nos technologies de pointe et nos composants électroniques sont invisibles mais au cœur du monde d'aujourd'hui.
Rejoindre ST, c'est intégrer une entreprise internationale riche de plus de 115 nationalités, présente dans 40 pays, et rassemblant plus de 50 000 talents passionnés et engagés, tous unis par la volonté de créer et d'inventer la technologie de demain.
Innover demande bien plus que des compétences techniques : cela nécessite des personnes inspirantes, qui savent collaborer avec respect et enthousiasme. Des collaborateurs animés par la passion, prêts à remettre en question le statu quo, à faire avancer l'innovation et à révéler leur plein potentiel.
Venez vivre cette aventure avec nous et contribuez à construire un futur plus intelligent et plus durable, en alliant responsabilité et innovation.
Notre technologie commence avec vous.
Ce stage s'inscrit dans le cadre du développement de transistors MOS (Metal Oxide Semiconductor) dédiés à des applications analogiques pour des produits MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems). Pour ce type d'application, il est nécessaire de minimiser le bruit des transistors. Afin de répondre à ce cahier des charges, l'utilisation de transistors MOS à canal enterré est envisagée. L'intérêt de cette architecture réside dans l'éloignement de la conduction du courant par rapport à l'interface Si/SiO₂, ce qui permet de réduire les interactions avec les défauts présents dans l'oxyde.
Vous interviendrez donc dans le développement de ce composant à travers les missions suivantes :
* Réaliser une synthèse bibliographique sur les transistors à canal enterré.
* À l'aide de l'outil de simulation TCAD « Sentaurus », définir les prochains essais process et proposer d'éventuelles modifications d'architecture.
* Analyser et synthétiser les résultats obtenus lors des caractérisations électriques.
Vous êtes en dernière année de Master ou école d'ingénieur et vous recherchez un stage de 6 mois.
Nous recherchons un candidat présentant un intérêt particulier pour la recherche et le développement en milieu industriel, avec le profil suivant :
* Curieux(se) et motivé(e)
* Bonne aptitude à la compréhension des phénomènes physiques
* Capable de travailler en équipe autour d'une problématique technique
Des connaissances en physique des semi-conducteurs et en physique des composants seront appréciées.
ST est fière d'être certifiée parmi les 17 entreprises mondiales « Global Top Employers 2025 » et d'être la première et unique entreprise de semi-conducteurs à recevoir cette distinction. ST a été distinguée dans ce classement grâce à sa démarche d'amélioration continue, se démarquant notamment par son engagement en matière d'éthique et d'intégrité, de sens et de valeurs, d'organisation et de gestion du changement, ainsi que par sa stratégie commerciale et ses performances. En France, ST a également obtenu la labélisation Happy Trainee 2025.
Nous cultivons un environnement de travail inclusif et diversifié, où la discrimination n'a pas sa place. Notre ambition est de recruter et de fidéliser des talents reflétant la richesse des sociétés dans lesquelles nous évoluons.
Nous nous engageons à l'équité dans le développement des carrières, les opportunités professionnelles et la rémunération.
Chez ST, nous encourageons les candidats qui ne remplissent pas forcément tous les critères à postuler, car nous croyons en la richesse des parcours variés et offrons de réelles opportunités d'apprentissage et d'évolution. La diversité, l'équité et l'inclusion sont des valeurs fondamentales qui façonnent notre culture d'entreprise.
Pour découvrir toutes nos opportunités, rendez-vous sur st.com/careers
| Quelle: | Website des Unternehmens |
| Datum: | 08 Nov 2025 (geprüft am 13 Dez 2025) |
| Stellenangebote: | Praktikum |
| Bereich: | IT |
| Dauer: | 6 Monate |
| Sprachkenntnisse: | Französisch |