Stage - Appareil de puissance innovant avec gaz d'électrons bidimensionnel dans l'oxyde de gallium H/F

Descrizione del lavoro:

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage - Appareil de puissance innovant avec gaz d'électrons bidimensionnel dans l'oxyde de gallium H/F

Sujet de stage

Dans le contexte de la transition énergétique, les matériaux à large bande interdite comme le Ga₂O₃ (Oxyde de Gallium) suscitent un intérêt croissant car ils offrent une capacité exceptionnelle de tenue en tension. Cependant, ils présentent encore certaines limites, telles qu'une mobilité électronique moyenne et une faible conductivité thermique. L'intégration de structures hétérogènes, notamment de fines couches de Ga₂O₃, AlGaO et AlN sur divers substrats, pourrait permettre la formation de gaz d'électrons bidimensionnels (2DEG), améliorant significativement la mobilité des porteurs par rapport au Ga₂O₃ massif et, par conséquent, réduisant les pertes d'énergie en fonctionnement nominal.

Durée du contrat (en mois)

6

Description de l'offre

Rejoignez-nous en Stage !

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En tant que stagiaire au CEA, vous aurez l'opportunité de travailler au sein d'un environnement de recherche de renommée mondiale. Nos équipes sont composées d'experts passionnés et dédiés, offrant un cadre propice à l'apprentissage et à la collaboration. Vous aurez accès à des équipements de pointe et à des ressources de recherche de premier ordre pour mener à bien vos missions.

Ce stage est réalisé en partenariat étroit avec notre partenaire industriel Schneider Electric. Il s'inscrit également dans la perspective d'une thèse CIFRE, permettant au candidat de poursuivre son travail de recherche dans un cadre doctoral en lien avec les enjeux industriels du projet.

L'objectif principal est d'évaluer la croissance d'empilements de couches de Ga₂O₃ et de matériaux associés pour la formation de structures d'hétérojonction basées sur un canal 2DEG. Ces couches seront mises en œuvre sur divers substrats à haute efficacité thermique comme alternatives au Ga₂O₃, afin d'améliorer les performances électro-thermiques de compo
Revue bibliographique :
Revue des techniques de croissance du Ga₂O₃ sur différents types de substrats (MBE, MOCVD, ALD, etc.)
Analyse des substrats compatibles (saphir, SiC, AlN, etc.)

Exploration expérimentale :
Contribution à la définition des spécifications des procédés expérimentaux pour la croissance du Ga₂O₃ et d'autres matériaux sur substrats hétérogènes
Caractérisation morphologique des échantillons fabriqués
Suivi de la fabrication des structures de test électriques
Mesures et comparaison des performances attendues (mobilité des porteurs, tenue en tension, champs critiques, résistance de conduction)

Analyse technico-économique :
Benchmarking des technologies verticales (Ga₂O₃ massif, GaN) vs. technologies latérales (GaN HEMT, Ga₂O₃ latéral)
Étude comparative en termes de performances, coûts de fabrication et intégration dans les architectures de puissance

En fonction des attendus de votre école, les sujets pourront être discutés.

Profil du candidat

Qu'attendons-nous de vous ?
Étudiant(e) en Master 2 ou en école d'ingénieur, avec une spécialisation en physique des semi-conducteurs ou en science des matériaux.
Compétences souhaitées :
- Connaissances en matériaux semi-conducteurs et composants de puissance
- Intérêt pour la recherche expérimentale et la modélisation
- Capacité d'analyse critique et de synthèse de l'information
Remarque : les candidats intéressés par une thèse (PhD) seront considérés en priorité.

Rejoignez-nous, venez développer vos compétences et en acquérir de nouvelles !

Vous avez encore un doute ? Nous vous proposons :
* L'opportunité de travailler au sein d'une organisation de renommée mondiale dans le domaine de la recherche scientifique,
* Un environnement unique dédié à des projets ambitieux au profit des grands enjeux sociétaux actuels,
* Une expérience à la pointe de l'innovation, comportant un fort potentiel de développement industriel,
* Des moyens expérimentaux exceptionnels et un encadrement de qualité,
* De réelles opportunités de carrière à l'issue de votre stage
* Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
* Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
* Un équilibre vie privée - vie professionnelle reconnu,
* Un restaurant d'entreprise,
* Une politique diversité et inclusion,

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes handicapées, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation pour l'inclusion des travailleurs handicapés.

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Langues

* Anglais (Courant)
* Français (Courant)

Diplôme préparé

Bac+5 - Diplôme École d'ingénieurs

Formation recommandée

MASTER 2 avec spécialisation en semiconducteurs

Possibilité de poursuite en thèse

Oui

Demandeur

Disponibilité du poste

01/01/2026