Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance

Descrizione del lavoro:

Description du poste

Domaine

Technologies micro et nano

Contrat

Post-doctorat

Intitulé de l'offre

Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance

Sujet de stage

Post-doctorat - Comparaison du Diamant et GaN vertical au SiC et Si pour des applications d'électronique de puissance H/F.

Durée du contrat (en mois)

24

Description de l'offre

Rejoignez le CEA-Leti et participez aux développements des technologies d'avenir qui transformeront les systèmes d'électronique de puissance de demain. Collaborez avec des équipes pluridisciplinaires, de l'ingénierie des matériaux à la simulation des dispositifs, en passant par la fabrication et la caractérisation physique, jusqu'au développement complet des systèmes de puissance.

Ce projet porte sur l'étude de la viabilité des technologies de composant de puissance émergeantes à base de diamant et de GaN. Vous aurez pour tâche ambitieuse d'évaluer dans quelle mesure ces nouvelles technologies peuvent apporter des améliorations de performance en comparaison des solutions existantes en Si ou SiC, sur une ou plusieurs applications spécifiques.

En particulier ce projet a pour objectifs :
*
D'identifier une ou plusieurs applications sur lesquelles les technologies GaN vertical et diamant sont susceptibles d'apporter des gains significatifs, en considérant le marché actuel et/ou projeté de ces applications.
* De comparer au moyen de simulation TCAD et SPICE, ainsi que de mesures
expérimentales de dispositifs de test, les performances estimées de composants Diamant et GaN industrialisables, dimensionnés pour ces applications, en comparaison du SiC et Si.
* De proposer une roadmap pour le développement de ces technologies.

Pourquoi rejoindre notre équipe ? Nous vous proposons :
* Une expérience à la pointe de l'innovation, comportant un fort potentiel de
développement industriel,
* Des formations pour renforcer vos compétences ou en acquérir de nouvelles,
* Un poste au cœur de la métropole grenobloise, facilement accessible via la mobilité douce favorisée par le CEA,
* Une participation aux transports en commun à hauteur de 85%,
* Un équilibre vie privée - vie professionnelle reconnu,
* Une politique diversité et inclusion,
* Des restaurants d'entreprise,
* Un CSE actif en termes de loisirs et d'activités extra-professionnelles,
* Une épargne abondée par le CEA

Profil du candidat

Vous devez avoir obtenu un PhD dans le domaine des semiconducteurs. Une
formation ou expérience dans le domaine de la physique des semiconducteurs grand gaps et/ou dans l'électronique de puissance est demandée. Également, une expérience avec un logiciel de simulations TCAD ainsi que dans la caractérisation électrique de composants est souhaitée.

Conformément aux engagements pris par le CEA en faveur de l'intégration des personnes en situation de handicap, cet emploi est ouvert à toutes et à tous. Le CEA propose des aménagements et/ou des possibilités d'organisation, rejoignez-nous!

Localisation du poste

Site

Grenoble

Localisation du poste

France, Auvergne-Rhône-Alpes, Isère (38)

Ville

Grenoble

Critères candidat

Diplôme préparé

Bac+8 - Doctorat scientifique

Formation recommandée

PhD dans le domaine des semiconducteurs

Possibilité de poursuite en thèse

Non

Demandeur

Disponibilité du poste

01/09/2025